Toshiba

東芝ITコントロールシステム株式会社

SUシリーズ

結晶方位測定装置

SUシリーズ

txlamino
用途 単結晶シリコン/ウェハの結晶方位測定

Si、サファイア、GaAs、GaP、InP、InSb、SiC、など化合物に対応。独自の側角機構により単結晶インゴットやウェハの結晶方位・外観・外形を高精度に測定できます。

特長

FEATURES

角度測定の高精度化を実現

独自の測角システムにより、高い再現性と直線性を実現します。

長期間の安定性能

機構部は高い剛性と耐久性を有し、長期間安定した性能を維持することができます。

独自のX線プロフィールピーク検出機能を採用

統計処理技術によりX線プロフィールピーク検出方式を採用し、高精度で安定した角度測定性能を得ることができます。

高速・高精度測定

4方位測定機能だけでなく、2方位測定機能も有し、測定時間は4方位測定に比べ約1/2で済みます。(SU-001は対象外)
2方位測定は結晶方位のX,Y傾斜を球面幾何学を用いて厳密解で求めています。このため4方位測定と同じ精度で求まります。

独自のX線量測定系

X線量測定系は、パルスハイトアナライザによって散乱等の誤差原因を低減させ、Cuの特性X線を選別し、高精度の測定が可能です。

高感度検出器を採用(オフセット角が大きい結晶に対して対応可能)

検出器は検出すべきX線(CuのKα)に対して極めて高い感度を持っています。また、ガス検出器であることからX線の入射位置および方向に対する検出感度の変動が小さく、結晶面の傾き角の変化に対して安定した測定が可能です。

仕様

SPECIFICATION

基本仕様
型式 対象 測定項目 用途
SU-001 インゴット Vノッチ(オリフラ面)方位 Vノッチ加工用円筒研削機に本装置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。

・測定精度:±5′
・対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-002 インゴット カット面方位(軸方位) ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。

・測定精度:±30″
・対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-003 ウェハ Vノッチ(オリフラ面)方位 カット面方位(軸方位)・ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結晶面との傾きを測定し、基準値と比較して良否判定をします。

・測定精度:±30″(カット面)
・対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-005 インゴット Vノッチ(オリフラ面)方位、外観、形状、重量 Vノッチ加工後のインゴットについて、Vノッチの形状・深さ・結晶方位、さらに、インゴットの欠け、傷、切削残、直径、重量を測定します。

測定精度:±5′
SU-021 インゴット Vノッチ(オリフラ面)方位 カット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結晶方位を同時に測定します。(側面の測定のみで軸方位を求めます。特許第3805869号)

・測定精度:±5′(カット面) ±3′(Vノッチ方位)
SU-001
対象 インゴット
測定項目 Vノッチ(オリフラ面)方位
用途 Vノッチ加工用円筒研削機に本装置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。

・測定精度:±5′
・対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-002
対象 インゴット
測定項目 カット面方位(軸方位)
用途 ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。
・測定精度:±30″
・対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-003
対象 ウェハ
測定項目 Vノッチ(オリフラ面)方位
用途 カット面方位(軸方位)・ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結晶面との傾きを測定し、基準値と比較して良否判定をします。
・測定精度:±30″
・対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-005
対象 インゴット
測定項目 Vノッチ(オリフラ面)方位、外観、形状、重量
用途 Vノッチ加工後のインゴットについて、Vノッチの形状・深さ・結晶方位、さらに、インゴットの欠け、傷、切削残、直径、重量を測定します。
測定精度:±5′
SU-021
対象 インゴット
測定項目 Vノッチ(オリフラ面)方位
用途 カット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結晶方位を同時に測定します。(側面の測定のみで軸方位を求めます。特許第3805869号)
・測定精度:±5′(カット面) ±3′(Vノッチ方位)